Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 3.2 |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AFY19 2N1017 P417 |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to7 | Распиновка |
---|---|