Биполярный транзистор - 2N2161

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 55V
Uce,max 35V
Ueb,max -
Ic,max 50mA
Ft,max 10MHz
Cctip,pF 6
Hfe 60/160
Tj,max 150ºC
Аналоги BFY50 2N2297
Изготовитель

gen

Биполярные транзисторы gen

IGBT транзисторы gen

FET транзисторы gen
Назначение RF, Low Power, General Purpose
to5 Распиновка