Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | 2N2614 GT320A |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|