Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 20/80 |
Tj,max | 70ºC |
Аналоги | 2N2786 2G308 2G309 2G344 2G345 2G371 2G374 2G397 2G401 2G402 2G508 2G509 2G603 2G604 2G1024 2N711B |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|