Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF124 2N990 GT320A |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to17 | Распиновка |
---|---|