Биполярный транзистор - 2SD261-R
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 500mW |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | 160MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 40/80 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BCW36 2N3704 KT345B |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |