Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 40W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 7A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | |
Hfe | 40/80 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD243C 2SB708 T1P41C 2SD843 2SD568 ECG196 KT819G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|