Биполярный транзистор - 2H1255
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 300mA |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | 15 |
| Hfe | 40/80 |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | BSW42 2N2907 KT501G |
| Изготовитель |
hughesБиполярные транзисторы hughesIGBT транзисторы hughesFET транзисторы hughes |
| Назначение | RF, Medium Power, General Purpose |
| to18 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |