Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 375mW |
Ucb,max | 70V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 125MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AFY19 2N1017 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
to7 | Распиновка |
---|---|