Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 400MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC556B 2N6001 KT3107B |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to106 | Распиновка |
---|---|