Биполярный транзистор - 2N6001
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 35V |
| Uce,max | 25V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | 225MHz |
| Cctip,pF | 8 |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BC328 2N5819 KT3107B |
| Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to98-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |