Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 625mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 30000T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC876 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Darlington, Medium Power |
to226 | Распиновка |
---|---|