Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 310mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BCW68 2N5817 KT505B |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Low Power, General Purpose |
sot23 | Распиновка |
---|---|