Биполярный транзистор - BCX83
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 75MHz |
| Cctip,pF | 4 |
| Hfe | 250MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BC549C 2N6006 KT3102D |
| Изготовитель |
general semiБиполярные транзисторы general semiIGBT транзисторы general semiFET транзисторы general semi |
| Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
| to226 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |