Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 12W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40/160 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD520 2N6556 KT626B |
Изготовитель |
general semiБиполярные транзисторы general semiIGBT транзисторы general semiFET транзисторы general semi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|