Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 9 |
Hfe | 30/120 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSW66 2N1893 KT611G |
Изготовитель |
fairchildБиполярные транзисторы fairchildIGBT транзисторы fairchildFET транзисторы fairchild |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|