Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 560mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 75/225 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
x28-1 | Распиновка |
---|---|