Биполярный транзистор - 2N3432
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150W |
| Ucb,max | 200V |
| Uce,max | 200V |
| Ueb,max | 25V |
| Ic,max | 5A |
| Ft,max | 200KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 10/35 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | 2N5387 KT885A |
| Изготовитель |
whestinghouseБиполярные транзисторы whestinghouseIGBT транзисторы whestinghouseFET транзисторы whestinghouse |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to61 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |