Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 750mW |
Ucb,max | 125V |
Uce,max | 125V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 25T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BSW66 2N1893 KT630G |
Изготовитель |
lteБиполярные транзисторы lteIGBT транзисторы lteFET транзисторы lte |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to31 | Распиновка |
---|---|