Биполярный транзистор - 2N1082
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 25V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 2V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 17MHz |
| Cctip,pF | 5 |
| Hfe | 10/50 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
| Изготовитель |
tecБиполярные транзисторы tecIGBT транзисторы tecFET транзисторы tec |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |