Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 35mA |
Ft,max | 800MHz |
Cctip,pF | 0.8 |
Hfe | 25/125 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BFY90 2N3011 KT399A |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Ultra High Frequency, Switching |
to72 | Распиновка |
---|---|