Биполярный транзистор - 2N3849
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150W |
| Ucb,max | 400V |
| Uce,max | 300V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 20A |
| Ft,max | 10MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 40/200 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | 2N6325 KT885A |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | RF, Power, High Voltage |
| to61 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |