Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 70V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 40/250 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|