Биполярный транзистор - 2N1096

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 500mW
Ucb,max 90V
Uce,max -
Ueb,max -
Ic,max 30mA
Ft,max 3MHz
Cctip,pF -
Hfe 30T
Tj,max 200ºC
Аналоги BFY65 2N1990 KT611G
Изготовитель

lte

Биполярные транзисторы lte

IGBT транзисторы lte

FET транзисторы lte
Назначение Low Power, Switching, General Purpose
to5 Распиновка