Биполярный транзистор - 2N1103
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 125mW |
| Ucb,max | 45V |
| Uce,max | 35V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 20mA |
| Ft,max | 12MHz |
| Cctip,pF | 3 |
| Hfe | 30/65 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |