Биполярный транзистор - 2N1105
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 800mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 8V |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 12MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
| Изготовитель |
rsmБиполярные транзисторы rsmIGBT транзисторы rsmFET транзисторы rsm |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |