Биполярный транзистор - 2N1106
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 800mW |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 12/36 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BFY65 2N1990 KT611G |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | Medium Power, High Voltage |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |