Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 40/500 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BCY58-10 2N2586 KT342V |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|