Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSW66 2N18893 KT630G |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|