Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 40/120 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC328 2N5819 KT3107E |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to106 | Распиновка |
---|---|