Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 25 |
Hfe | 50/600 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to106 | Распиновка |
---|---|