Биполярный транзистор - GT309D
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 75mW |
| Ucb,max | - |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 80MHz |
| Cctip,pF | 7.5 |
| Hfe | 20/70 |
| Tj,max | 70ºC |
| Аналоги | 2N705 GF130 2N129 2N240 2N370 2N370-33 2N371 2N371-33 2N372 2N372-33 2N373 2N373-33 2N374 2SA266 2SA267 2SA268 2SA269 2SA270 2SA271 2SA272 2SA273 2SA274 2SA275 2SA279 2SA280 2SA281 T1028 T1038 T1548 T1788 TA1658 TA1659 TA1660 TA1662 TA1731 |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power High Frequency |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |