Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 20mW |
Ucb,max | 12V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 20/70 |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | 2N964 AF106 2SA107 2SA117 2SA118 2N128 2N344 2N346 T1032 T1224 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|