Биполярный транзистор - 2N128
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 25mW |
| Ucb,max | 10V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 5mA |
| Ft,max | 40MHz |
| Cctip,pF | 6 |
| Hfe | 20MIN |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | AF125 2N990 GT310D |
| Изготовитель |
ampБиполярные транзисторы ampIGBT транзисторы ampFET транзисторы amp |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to23 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |