Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 150 |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BLX50 2N5286 KT816G |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to59 | Распиновка |
---|---|