Биполярный транзистор - P307V
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 250mW |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 120mA |
| Ft,max | 20MHz |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 50/150 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | 2N1566 2N560 2N754 2N844 2SC727 2N263 2N334 2N334A 2N334B 2N337 2N337A 2N478A 2N479 2N479A 2N480 2N480A 2N541 2N541A 2N542 2N542A 2N543 2N543A 2N755 2N756 2N757A 2N758 2N758A 2N1149 2N1150 2N1151 2N1152 2N1153 CDQ10025 ST14 ST32 ST34 ST42 ST44 ST1504 ST1505 TI903 TI904 TI904A TI905 TI910 |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |