Биполярный транзистор - 2N755
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 20MHz |
| Cctip,pF | 10 |
| Hfe | 20/80 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | 2N3019 P308 P307V |
| Изготовитель |
idcБиполярные транзисторы idcIGBT транзисторы idcFET транзисторы idc |
| Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
| to18 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |