Биполярный транзистор - 2N1183
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 7.5W |
| Ucb,max | 45V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 20V |
| Ic,max | 3A |
| Ft,max | 350KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 20/60 |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | AD159 2N1184B P215 |
| Изготовитель |
gpdБиполярные транзисторы gpdIGBT транзисторы gpdFET транзисторы gpd |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to8 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |