Биполярный транзистор - 2N5821
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 500mW |
| Ucb,max | 70V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 750mA |
| Ft,max | 100MHz |
| Cctip,pF | 15 |
| Hfe | 20MIN |
| Tj,max | 135ºC |
| Аналоги | BC327 KT505B |
| Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
| Назначение | Medium Power, High Voltage |
| x55-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |