Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 3.5W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 140mA |
Ft,max | 100KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSW66 2N1893 KT630G |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
ms7 | Распиновка |
---|---|