Биполярный транзистор - 2N759B
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 500mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 8V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | 8 |
| Hfe | 25MIN |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BSW66 2N2222A KT340V |
| Изготовитель |
idcБиполярные транзисторы idcIGBT транзисторы idcFET транзисторы idc |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to18 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |