Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 5.5W |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 2.5A |
Ft,max | 500KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/250 |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AD159 2N1183 P215 |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|