Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40/200 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BD244B 2N6106 2SB595 2SB633 2N6126 TIP42B KT816G |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | Power, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|