Биполярный транзистор - 2SA1105
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 90W |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 120V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 9A |
| Ft,max | 20MHz |
| Cctip,pF | 300 |
| Hfe | 80T |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BD246C 2N5627 2SA1106 2SA1186 KT865A |
| Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
| Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
| to218 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |