Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 20W |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 80MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N5415S |
Изготовитель |
sanyoБиполярные транзисторы sanyoIGBT транзисторы sanyoFET транзисторы sanyo |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|