Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 200V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BF821 2N3931 KT667A9 |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, Switching, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|