Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 3.5 |
Hfe | 600T |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BF398 2N4027 KT684V |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|