Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 120/240 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BD590 2N6211 KT816G |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Power, General Purpose |
x104-1 | Распиновка |
---|---|