Биполярный транзистор - 2SA1316-GR
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | 6.5 |
| Hfe | 200/400 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BCW85 2N4930 KT632B |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |