Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 180MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N6015 KT313A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, Low Noise |
to236 | Распиновка |
---|---|